Исследователи подняли плотность записи MRAM

Плотность MRAM, базирующейся на новых технологиях переноса спина, стала более высокой посредством размещения нескольких бит в каждой ячейке.

Спрос на твердотельную память растет благодаря появлению портативных устройств, таких как планшетные компьютеры и смартфоны. MRAM является новым типом твердотельной памяти, которая использует электрический ток для записи и чтения данных, хранящихся как направление спина электронов. Рашид Сбиаа (Rachid Sbiaa) с сотрудниками из A*STAR Data Storage Institute повысили плотность MRAM, разместив несколько бит данных в каждой из ее ячеек.

«Как технология MRAM (STT-MRAM) имеет несколько преимуществ, - сказал Сбиаа. – Она предоставляет высокую скорость операций чтение-запись, низкое энергопотребление, большой ресурс эксплуатации и легко интегрируется со стандартными полупроводниковыми технологиями». Дальнейшее уплотнение представляется проблематичным, поскольку ток записи необходимо увеличивать для обеспечения тепловой стабильности бита.

Более детально об этом исследовании и о памяти MRAM читайте в блоге Леонида Бараша.