Исследование шума в 2D-транзисторах обернётся инновациями в электронике

Многие исследователи работают над созданием следующего поколения транзисторов из базе «экзотических» 2D-материалов, таких как диселенид молибдена. Они демонстрируют многообещающие качества в лабораторных испытаниях, однако мало кто принимает во внимание ещё один важный аспект этого класса материалов: собственный электронный шум. Эта проблема присуща всем устройствам и цепям, но она особенно усугубляется, когда материал становится атомно-тонким.

Именно эти вопросы стали предметом исследования Супрема Даса (Suprem Das), доцента Канзасского университета, и его коллег из Университета Пердью (штат Индиана). В посвящённом этой работе статье, на страницах журнала Physical Review Applied, команда Даса систематически показала, что решить проблему возможно, если толщину 2D-материала в транзисторе удерживать в пределах 10–15 атомных слоёв.

Сконструированные авторами подобные устройства демонстрировали в испытаниях не только высокую производительность включения/выключения, но и очень низкий электронный шум. Эта работа продолжает и углубляет результаты предыдущего исследования группы Даса, в которм впервые изучались проблемы шума в транзисторах из диселенида молибдена.

Сделанные заключения имеют первоочередное значение для разработки ряда ключевых технологий электроники и высокочувствительных сенсоров, использующих новые 2D-материалы.