`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Инженеры изобрели революционное устройство памяти на основе спина

+11
голос

Международная команда исследователей во главе с инженерами из Национального университета Сингапура (NUS) изобрела новое магнитное устройство, которое способно манипулировать цифровой информацией в 20 раз более эффективно и в 10 раз с большей стабильностью, чем коммерческие цифровые спинтронные запоминающие устройства. Новое устройство спинтронной памяти использует ферримагнетики и было разработано в сотрудничестве с исследователями из Технологического института Тойоты, Нагойя, и Корейского университета, Сеул.

Этот прорыв может ускорить коммерческий рост памяти на основе спина. «Наше открытие может предоставить новую платформу для устройств в спинтронной индустрии, которая в настоящее время борется с проблемами нестабильности и масштабируемости из-за малых магнитных элементов, которые используются», - сказал доцент Ян Хёнсоо (Yang Hyunsoo) из Департамента электротехники и вычислительной техники NUS, который возглавил проект.

Сегодня цифровые данные генерируется в беспрецедентных объемах по всему миру, и поэтому существует растущий спрос на недорогие, маломощные, высокостабильные и хорошо масштабируемые продукты памяти и вычислений. Одним из способов достижения этого является использование новых спинтронных материалов, где цифровые данные хранятся в состояниях спина. Однако, хотя существующие продукты спинтронной памяти на основе ферромагнетиков успешно удовлетворяют некоторым из этих требований, они все еще очень дороги из-за проблем с масштабируемостью и стабильностью.

«Память на основе ферромагнетика не может быть выращена за пределы толщины нескольких нанометров, поскольку ее эффективность записи уменьшается экспоненциально с увеличением толщины. Этот диапазон толщины недостаточен для обеспечения стабильности хранимых цифровых данных в сравнении с нормальными колебаниями температуры», - объяснила д-р Ю Дзявей (Yu Jiawei), которая принимала участие в этом проекте, продолжая свою докторантуру в NUS.

Чтобы решить эти проблемы, команда изготовила устройство с магнитной памятью, используя интересный класс магнитных материалов - ферримагнетики. Важно отметить, что ферримагнитные материалы могут быть выращены в 10 раз более толстыми без ущерба для общей эффективности записи данных.

«Электроны, образующие ток, состояния спинов которых в основном представляют собой данные, испытывают минимальное сопротивление в ферримагнетиках», - объяснил г-н Рахул Мишра (Rahul Mishra), который является членом исследовательской группы и нынешним докторантом.

Используя ток электронов, исследователи из NUS смогли записать информацию в элемент памяти ферримагнетика, который был в 10 раз стабильнее и в 20 раз эффективнее ферромагнетика.

Для этого открытия команда доцента Яна воспользовалась уникальным расположением атомов в ферримагнетике. «В ферримагнетиках магнитные моменты соседних атомов противоположны друг другу. Возмущение, вызванное одним атомом при входящем спине, компенсируется следующим, и в результате информация перемещается быстрее и дальше с меньшей мощностью. Мы надеемся, что вычисления и индустрия хранения данных может воспользоваться преимуществами нашего изобретения для повышения производительности и возможностей хранения данных в новых запоминающих устройствах на основе спина», - сказал доцент Ян Хёнсоо.

Исследовательская группа из NUS в настоящее время планирует изучить скорость записи и чтения данных на своем устройстве. Они ожидают, что отличительные атомные свойства их устройства также приведут к его сверхбыстрой производительности. Кроме того, они также планируют сотрудничать с отраслевыми партнерами, чтобы ускорить коммерческий перевод своих открытий.

Инженеры изобрели революционное устройство памяти на основе спина

Команда во главе с доцентом Ян Хёнсоо (второй слева) из Инженерного факультета Национального университета Сингапура обнаружила, что ферримагнитные устройства могут манипулировать цифровой информацией с 10-кратной стабильностью и в 20 раз более эффективно, чем коммерческие цифровые спинтронные запоминающие устройства

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT