| 0 |
|
Планарные транзисторы были получены в конце 50-х годов прошлого века и служили базовыми строительными элементами микросхем со времени зарождения полупроводниковой индустрии.
Потребность в трехмерной транзисторной структуре возникла при достижении уровня детализации в 100 и менее нанометров.
По всей видимости, трехзатворным транзисторам уготовано ключевое место в дальнейших планах Intel - они имеют значительно сниженный ток утечки и потребляют намного меньше энергии, чем сегодняшние планарные транзисторы.
В частности, по сравнению с современными 65-нанометровыми устройствами интегрированные трехмерные транзисторы могут обеспечить 45%-ное увеличение управляющего тока (скорости коммутации), уменьшение утечки в 50 раз и затрат энергии на переключение - на 35%.
"Intel успешно совместила три ключевых технологии - трехвентильную геометрию, high-k диэлектрик и напряженный кремний, чтобы вновь создать транзистор с рекордными характеристиками," - отметил Майк Мейберри (Mike Mayberry) вице-президент Intel и директор компонентных исследований.
Про DCIM у забезпеченні успішної роботи ІТ-директора
| 0 |
|
