
На цьому тижні було опубліковано нову патентну заявку компанії Intel, яка розкриває плани розробки пам'яті з ультрависокою пропускною здатністю під назвою Cross-Batch Memory (XBM). Нова технологія пропонує низку суттєвих покращень порівняно з поточними стандартами та може стати прямим конкурентом майбутньої пам'яті HBM4 вже у найближчі роки.

Головна ідея XBM полягає у відмові від традиційного ультраширокого паралельного інтерфейсу, що використовується в HBM. Замість нього Intel пропонує інтегрувати швидкісні лінки UCIe зі швидкістю передачі даних 32 ГТ/с.

Такий підхід дозволить реалізувати нативну інтеграцію на рівні чиплетів, що значно спростить процес пакування мікросхем і, як наслідок, суттєво знизить виробничі витрати. Крім того, архітектура XBM передбачає використання класичної пам'яті 1T1C DRAM на базовому рівні та впровадження дрібноструктурного резервування на рівні блоків даних для швидкого відновлення після збоїв.

Аналітики зазначають, що цей крок Intel є логічним на тлі стрімкої еволюції специфікацій інтерфейсу UCIe. Цей стандарт наразі користується широкою підтримкою та активно впроваджується як у промисловості, так і в академічних дослідницьких колах для створення модульних процесорних архітектур.