Intel и Micron разработали 20-нм NAND-модуль емкостью 128 Гб

Intel и Micron создали первую 20-нанометровую NAND-память с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 128 гигабит. Кроме того, стороны объявили о начале массового производства 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гб.

Разработка позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 Тб, используя всего 8 кристаллов. Он удвоит емкость и производительность 20-нм модуля емкостью 64 Гб. Новый чип удовлетворяет спецификации ONFI 3.0, способен достигать скорости 333 МТ/с и поможет создать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных.

Стороны утверждают, что ключом к успеху в области 20-нм техпроцесса стала инновационная структура ячеек. В модуле впервые используется планарная структура, которая позволяет преодолеть проблемы, сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, присущие предыдущему поколению продуктов. Планарная структура успешно решает сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором путем интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.

Intel и Micron отмечают, что объемы производства 20-нм NAND-модулей емкостью 64 Гб, которые компании достигнут в декабре, позволят выполнить быстрый переход к 128-Гб модулям в 2012 г. К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гб планируется приступить в январе, а в первой половине 2012 г. — к серийному производству.