Intel и Micron подняли скорость флеш-памяти в пять раз

Компании Intel и Micron сегодня объявили о создании высокоскоростного вида флеш-памяти типа NAND.

Новинка создана на совместном предприятии IM Flash Technologies (IMFT) имеет действительно феноменальные показатели. Скорость чтения находится на уровне 200 MB/s, а записи -- 100 MB/s, это в пять раз больше, чем показатели ныне используемой технологии. Сообщается, что разработка удовлетворяет индустриальной спецификации ONFI 2.0, а также использует четырехуровневую архитектуру и имеет более высокую рабочую частоту.

Представители компаний особо подчеркивают важность этой разработки поскольку она позволяет устранить бутылочное горлышко на пути перехода к интерфейсу USB 3.0, который позволит поднять скорость обмена данных в 10 раз по сравнению с ныне распространенным USB 2.0 solutions – до отметки в 4,8 гигабит в секунду.

Первые образцы чипов емкостью 8 Gb, изготовленные по технологическим нормам 50 нм, уже начали отгружаться основным OEM-производителям. Массовые продажи нового вида памяти начнутся во второй половине нынешнего года.