Intel и Micron готовы к массовому выпуску NAND-памяти по технологиям 34 нм

25 ноябрь, 2008 - 13:24

Компании Intel и Micron Technology объявили о запуске в массовое производство совместно разработанных 32-гигабитных чипов памяти NAND flash, выполненных по технологии MLC (multi-level cell) с использованием уровня детализации 34 нм.

Сообщается, что микросхемы выпускаются совместным предприятием Intel и Micron - IM Flash Technologies (IMFT), и являются первыми в индустрии монолитными чипами NAND объемом 32 Гб, помещаемыми в стандартный корпус TSOP с 48 выходами.

Компании предполагают, что количество выпускаемых микросхем памяти с уровнем детализации 34 нм на фабрике Lehi к концу года достигнет 50% от их общего числа. Новинки будут использоваться при производстве твердотельных накопителей, увеличивая их емкость и одновременно с этим снижая стоимость готовых решений.