imec сообщает о значительном улучшении надежности самосборки

На следующей неделе в Сан-Хосе (штат Калифорния) Международное общество оптики и фотоники (SPIE) проведет конференцию по продвинутой литографии, где ведущий европейский центр микро- и наноэлектроники imec (Бельгия) сообщит о существенном прогрессе, достигнутом в разработке процессов направляемой самосборки (Directed Self-Assembly, DSA).

В кооперации с поставщиком полупроводникового оборудования Tokyo Electron и ведущей химикофармацевтической компанией Merck (которая в мае 2014 г. поглотила AZ Electronic Materials), imec за прошлый год значительно снизила дефектность DSA, получив лучший в своем классе результат 24 дефекта на квадратный сантиметр. Кроме того, она разработала сквозную разновидность этой технологии с уровнем детализации 7 нм и новую хемоэпитаксиальную процедуру для изготовления высокоплотных массивов 30- и 45-нанометровых шестиугольных отверстий за одну иммерсионную экспозицию с длиной волны 193 нм.

Снижение дефектности и улучшение надежности формирования рисунка являются центральными ориентирами при разработке пригодного к внедрению DSA-процесса для производства ячеек DRAM, способного превзойти ограничения сегодняшней 193-нанометровой иммерсионной литографии.

«Каждые шесть месяцев на протяжении последних нескольких лет мы снижали дефектность DSA в 10 раз, — заявил старший вице-президент imec по технологиям обработки Эн Стееген (An Steegen). — Наши процессы демонстрируют возможность достижения в ближайшем будущем значений дефектности ниже 10 без каких-либо технических преград для этого».