IMEC и Unisantis разрабатывают вертикально-транзисторные SRAM

2 ноября 2018 г., 18:05

Обе организации работают над ультрафиолетовым литографическим процессом для создания шеститранзисторной ячейки SRAM с площадью около 0,02 кв. мкм. Это будет соответствовать площади ячеек технологического узла N5 (5 нм), но поскольку транзисторы организованы вертикально с затворами, окружающими столб, то будут иметь очень свободный шаг около 50 нм.

Эн Стиген (An Steegen), исполнительный вице-президент по полупроводниковым технологиям и системам, сказала, что окружающие затворы вертикальных ячеек на основе SGT имеют площадь на 20-30% меньше по сравнению с горизонтальными полевыми транзисторами с окружающими затворами, а также превосходят их в плане рабочего напряжения, утечки и стабильности.

«SGT обладают всеми преимуществами транзисторов с горизонтальным окружающим затвором, что обеспечивает почти идеальное электростатическое управление транзисторным каналом, - говорит профессор Фуджио Масуока (Fujio Masuoka) в заявлении IMEC. - Но поскольку канал является вертикальным столбом, концепция имеет потенциал для значительного сокращения площади по сравнению с горизонтальными транзисторами на основе нанопроводов».

Unisantis - не столько стартап, сколько долгосрочная исследовательская группа. Компания была основана в 2004 г. для разработки трехмерных транзисторов, и к ней присоединился проф. Масуока в качестве главного технического сотрудника. Ранее проф. Масуока провел 23 года в корпорации Toshiba. Ему приписывают изобретение флэш-памяти. С 2007 г. Unisantis работает с Институтом микроэлектроники в Сингапуре по разработке транзисторов с окружающими затворами.

Одной из ключевых задач разработки была механическая устойчивость столбов при высоких коэффициентах пропорциональности. Благодаря использованию однократной экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), а не четырехкратной оптической иммерсионной литографии, количество ступеней процесса было уменьшено. Это улучшило механическую стабильность и привело к стоимости, сравнимой со стоимостью SRAM на базе FinFET.

IMEC и Unisantis разрабатывают вертикально-транзисторные SRAM