ИК-излучение позволит «заглянуть вовнутрь» многослойного графена

В Университете Буффало (UB) при участии Исследовательской лаборатории ВМС США (U.S. Naval Research Laboratory) разработана методика, позволяющая определять электронные свойства каждого индивидуального слоя атомов в многослойном образце графена.

Для этого поверхность материала облучается инфракрасным светом и регистрируются изменения в направлении колебаний, или поляризации, световых волн, происходящие при переотражении от различных слоев графена. Идеально совмещенные слои графена по воздействию на поляризацию существенно отличаются от слоев с рассогласованным расположением гексагональных решеток.

Характер поглощения и излучения ИК-волн меняется под влиянием внешнего магнитного поля. Это означает, что ученые могут включать и выключать поляризацию света магнитным полем, или, более быстро, прикладывая разность потенциалов, приводящую в движение свободные электроны в графене.

При помощи такой техники можно детально анализировать свойства материалов, состоящих из десятков индивидуальных слоев. Более подробно об этом рассказывается в недавнем выпуске Scientific Reports, открытого онлайнового приложения к журналу Nature.

Кроме того, новая методика позволяет использовать напряжение для быстрой модуляции, а это открывает возможности применения графена в коммуникациях, обработке сигналов и для получения изображений.