IBM сконструировала графеновый полевой транзистор

11 октябрь, 2007 - 13:10Леонид Бараш

В Исследовательском центре им. Т. Дж. Уотсона компании IBM успешно сконструировали графеновый полевой транзистор, используя для этого один слой атомов углерода на поверхности кремниевой подложки. Хотя эту технологию отделяет десятилетие от выхода на рынок, компания сегодня работает над применением радиоустройств на ее базе для агентства DARPA.

Несмотря на то что производительность графеновых транзисторов не так высока, как транзисторов на углеродных нанотрубках, подвижность электронов в них на порядок выше, чем в кремнии. Это делает графеновые транзисторы непревзойденными кандидатами для изготовления аналоговых осцилляторов и переключателей с ультравысокой частотой.

Так как зоны валентная и проводимости в графене перекрываются, то он с электронной точки зрения является полуметаллом с нулевой запрещенной зоной. Но IBM удалось создать между ними небольшой зазор, изготовив транзисторный канал из графеновой наноленты шириной всего 20 нм. Планируется для будущего применения в радиоустройствах сузить ширину канала до 2 нм.