IBM первой представила тестовый чип с детализацией 7 нм

Компания IBM сообщила о прогрессе в разработке полупроводниковой технологии для производства микропроцесоров. Ее инженеры продемонстрировали прототип чипа, который изготовлен по технологии 7 нм с применением ультафиолетовой литографии (extreme ultra-violet, EUV) на 300-миллиметровой пластине.

Такой детализации в производстве удалось достичь благодаря использованию в транзисторных каналах напряженного кремний-германиевого материала (SiGe), размещаемого поверх чистого кремния, из которого изготовлена пластина.

Отмечается, что разработки проводились совместно с Samsung, GlobalFoundries и SUNY (State University of New York) Polytech, на чьем экспериментальном заводе и был выпущен этот образец. Планируется, что коммерческий выпуск чипов с тех. допуском 7 нм будет организован на производстве, в которое Samsung и GlobalFoundries вложат от 6 до 10 млрд долл. каждая. Оно должно начать выпуск продукции в 2018 г.

Вот как выглядят под электронным микроскопом FinFET-транзисторы с допуском 7 нм

Новая технология производства позволит размещать до 20 млрд транзисторов на одной подложке микропроцессоров, это почти в четверо больше нынешних возможностей.