IBM и TDK объединяют усилия для создания высокоплотной MRAM

Корпорации IBM и TDK опубликовали проект совместного исследования, целью которого является создание в течение четырех лет магнитного ОЗУ (MRAM) высокой плотности. Новая программа предусматривает двадцатикратное увеличение плотности посредством механизма записи, называемого «перенос спинового момента», который не только позволяет уменьшить размер ячейки, но и требует меньше энергии для функционирования.

Комментируя этот проект, старший менеджер «Исследовательского центра IBM им. T. Дж. Уотсона» Билл Галлагер отметил, что корпорация в последние несколько лет достигла ряда успехов в исследовании туннельного магнитного перехода (ТМП), используемого в  MRAM, но ни одна из разработок не закончилась коммерческим продуктом. Он выразил надежду, что новая совместная программа, использующая перенос спинового момента, имеет лучшие шансы на коммерциализацию.

В MRAM для изменения намагниченности ячейки используется поляризованные магнитным полем электроны. Пропуская ток из поляризованных электронов через магнитный слой MRAM, можно изменять направление вектора намагниченности ячейки, записывая значения 0 или 1.

Магнитный туннельный переход ячейки MRAM состоит из транзистора и двух магнитных слоев – с закрепленной ориентацией магнитного поля и свободной, разделяемых слоем туннельного барьера. Обычно данные записываются посредством изменения ориентации магнитного поля свободного слоя, пропуская ток через две битовые шины. Чтение выполняется «считыванием» сопротивления.