IBM и Micron будут развивать Hybrid Memory Cube

Компании IBM и Micron объявили о начале производства новых модулей Hybrid Memory Cube, построенных на основе стека из чипов памяти, расположенных плотно друг к другу.

В новых образцах будет использована технология «связь сквозь кремний» (through silicon via, TSV), обеспечивающая электрическую связь между собранными в стопку кристаллами DRAM и кристаллом со схемой высокоскоростного ввода-вывода. За счет такой компоновки удастся получить больше каналов связи и достичь большей производительности по сравнению с традиционной полупроводниковой системой. В прототипе HMC, площадь которого составляет всего 10% площади печатной платы с микросхемами DRAM того же объема, скорость работы памяти увеличена в 15 раз, одновременно энергопотребление снижено на 70%.

Коммерческим выпуском чипов Hybrid Memory Cube будет заниматься компания Micron. А IBM намерена обеспечить 3D-технологию производства, а также разработку и поставку контроллеров микросхем, которые будут выпускаться по 32-нм техпроцессу HKMG на фабрике IBM в штате Нью-Йорк.

Первые образцы новых чипов, разработанных IBM и Micron, будут выпущены во второй половине 2012 г., а промышленные поставки начнутся не ранее 2013 г.