I-MacEtch — эффективный производственный процесс для будущих гаджетов

Учёные из Рочестерского Технологического Института (RIT) в Нью-Йорке разработали новый, более эффективный способ производства полупроводниковых устройств.

По их заявлению, метод I-MacEtch (Inverse Metal-assisted chemical Etching) поможет удовлетворить растущий спрос на более мощные и надёжные нанотехнологии для солнечных батарей, смартфонов, телекоммуникаций и для новых приложений — фотоники и квантовых вычислений. Он также позволяет применять альтернативные кремнию новые материалы, например, фосфид индия-галлия, и использовать их дополнительно к кремнию.

Уникальность I-MacEtch заключается в том, что этот процесс сочетает лучшие стороны двух традиционных технологий создания полупроводниковых схем на заготовках: травления в кислотной ванне (wet etch) и реактивного ионного травления (reactive ion etching, RIE).

Авторы изобретения считают, что применение I-MacEtch существенно уменьшит сложность изготовления будущих электронных устройств.