Hynix разработала DDR DRAM 4 Гб для портативных Интернет-устройств

Hynix Semiconductor выпустила 4-гигабитовые микросхемы мобильной памяти DDR SDRAM, предназначенные для применения с Moorestown – платформой Intel для портативных устройств для работы с Интернетом (MID). Масовые поставки чипов в вариантах монтажа MCP (multi-chip package), POP( package-on-package) начнутся в текущем квартале.

Новый продукт Hynix поддерживает максимальную пропускную способность 400 Мб/с или до 1,6 ГБ/с через 32-разрядную шину. Он совместим со стандартами JEDEC и призван удовлетворить потребности в оперативной памяти с экономичным энергопотреблением не только MID, но и будущих версий нетбуков и смартфонов.