Hynix разработала быструю оперативную память для смартфонов

Компания Hynix представила первые чипы памяти DDR2 емкостью 1 Гб (128 МБ), выполненные с использованием норм техпроцесса 54 нм и ориентированные на применение в смартфонах и коммуникаторах.

Благодаря переходу на 50-нанометровый уровень производитель смог довести максимальную частоту работы чипов до 1066 МГц и при этом значительно уменьшить энергопотребление микросхем, в сравнении с образцами прошлого поколения. Hynix продвигает новинки как производительное решение не только для высокоуровневых телефонов, но и для интернет-планшетов, и даже нетбуков. Работая в двухканальном режиме чипы памяти поддерживают полосу пропускания 8,52 ГБ/с, при потреблении 50% энергии необходимой мобильной DDR предыдущего поколения, и 30% энергии потребляемой модулями DDR2 в настольных ПК.

Hynix планирует начать массовое производство новых чипов, совместимых со стандартом JEDEC, во второй половине этого года.