Hynix представила первый на рынке модуль памяти емкостью 128 ГБ

Компания SK Hynix сообщила о выпуске модуля оперативной памяти DDR4 емкостью 128 ГБ на основе чипов собственного производства.

Как отмечает производитель, на данный момент это самый емкий из имеющихся на рынке модуль памяти. В нем использованы восемь микросхем, выпущенные Hynix по технологии с допуском 20 нм.

Представленный модуль работает на частоте 2133 МГц и обладает полосой пропускания в 17 Гбит/с. В отличие от ныне массово используемых модулей DDR3 новинка использует напряжение 1,2 В, а не 1,35 В.

Как отмечают представители SK Hynix, анонсированный модуль в первую очередь нацелен на использование в серверных системах, размещаемых в ЦОДах.