Hynix будет производить память PRAM по лицензии Ovonyx

Компании Ovonyx и Hynix Semiconductor объявили о подписании долгосрочного лицензионного соглашения, в соответствие с которым корейский производитель начнет выпускать продукты на основе технологии фазовой памяти (PCM - Phase Change Memory), также именуемой PRAM.

К материалам с изменяемой фазой относится ряд сплавов, физические свойства которых зависят от текущей фазы - аморфной или кристаллической. В типичном случае аморфная и кристаллическая фазы имеют разные коэффициенты отражения. Это свойство и используется для записи и считывания данных. Переходы между фазами осуществляются за счет нагревания пятна записи до нужной температуры с помощью лазерного луча.

Ovonyx снабдит Hynix необходимыми технологиями и технологическими описаниями для производства PRAM.