Hynix анонсировала флэш-память NAND поколения 1Xnm

На проходящем в Вашингтоне (США) форуме IEDM корейская компания Hynix представила чипы флэш-памяти NAND поколения «Middle-1Xnm», которые будут выпускаться по 15-нм техпроцессу. Массовое производство микросхем компания планирует начать во второй половине 2012 г.

В настоящее время Hynix занимается разработкой технологий производства, которые могут решить проблемы, связанные с уменьшением числовой шины и разрядных линий вследствие перехода от 20-нм техпроцесса к 1Xnm.

При переходе к 1Xnm, пространство, в которое монтируются управляющие затворы из поликристаллического кремния, становится слишком малым, что приводит к усилению интерференции между разрядными линиями. Специалисты Hynix используют специальный процесс, который уменьшает ширину плавающего затвора по направлению числовой шины и увеличивает пространство для управляющих затворов, таким образом, удалость снизить интерференцию на 20%.

При записи данных к расположенным в непосредственной близости управляющему и плавающему затворам прикладывается электрическое поле высокой напряженности, вследствие чего повышается вероятность утечки заряда через плавающий затвор. Для решения этой проблемы Hynix модифицировала процесс формирования воздушного зазора в пленке, изолирующей соседние числовые шины (она занимает более 50% пространства между ними). Таким образом, напряжение электрического поля между управляющим и плавающим затворами при записи данных, было уменьшено на 20%. Кроме того, за счет подачи напряжения на числовую шину, размещенную за той, на которую производится запись, также удалось снизить напряженность электрического поля, и одновременно повысить скорость записи данных. За счет усовершенствования переходов сток-исток также был уменьшен ток, необходимый для процесса чтения ячеек.

Массив ячеек памяти нового типа в разрезе