Globalfoundries начинает выпуск радиочипов на базе SiGe

Globalfoundries сообщила о внедрении новой технологии — SiGe 8XP. Он использует комбинацию кремния и германия для создания телекоммуникационных чипов, которые смогут функционировать с рабочей частотой до 340 ГГц. Такие устройства найдут применение в решениях связи пятого поколения для автомобильных радаров, спутниковой связи, базовых станций сотовой связи и т.д.

Новый техпроцесс будет использован на линиях со 130 нм техпроцессом. SiGe 8XP снизит стоимость микросхем по сравнению с использованием арсенида галлия. Улучшенные биполярные транзисторы с гетеропереходом (HBT) снизят рабочие шумы приборов и позволят добиться более стабильных параметров. Использование медной металлизации расширит диапазон рабочих токов и температур на 25%. Чипы SiGe 8XP также можно будет использовать в составе модульных микросхем с помощью межслойных TSVs-соединений, что позволит интегрировать радиомодули в процессоры.