Гигантский магнитоэлектрический эффект указывает дорогу к сверхплотным СХД

26 ноябрь, 2010 - 12:30Леонід Бараш

Команда ученых из Университета Рутгерса обнаружила материал, в котором электрическое поле может управлять его магнитными свойствами. Если магнитоэлектрический эффект, открытый группой, может быть распространен на более высокие температуры, это может оказаться полезным для манипуляции магнитными битами в сверхвысокоплотных СХД.

Исследователи обнаружили эффект, изучая магнитные свойства манганита, содержащего окисел магния, европий и иттрий. При низких температурах (от 7 до 20 К) и в сильных магнитных полях небольшое изменение электрических полей вызывают большие изменения в магнитных свойствах минерала. Магнитоэлектрический эффект может привести к созданию сравнительно недорогих жестких дисков высокой емкости, которые стали возможны с открытием гигантского магниторезистивного эффекта.

В отличие от устройств на базе гигантской магниторезистивности, которые требуют магнитных полей для управления электрическим сопротивлением, магнитоэлектрические устройства могут управляться меньшими по размеру и более простыми электрическими головками чтения/записи. Замена магнитных компонентов электрическими может потенциально привести к устройствам с более плотной записью, чем современные терабайтовые диски. Правда, для выхода технологии на коммерческий уровень необходимы материалы, которые демонстрируют подобный эффект при намного более высоких температурах, но открытие само по себе вселяет надежду.