Гибридная схема совмещает разные 2D-материалы
В Массачусетском технологическом институте (MIT) найден способ, как совместить в одной схеме два 2D-материала с различными свойствами электронного транспорта — металлический графен и полупроводящий дихалькогенид переходного металла, дисулфид молибдена.
Об этом сообщает публикация в журнале Nano Letters. Ее авторы приступили к решению поставленной задачи, вырастив образцы графена и MoS2 методом химического осаждения в вакууме. В дисульфиде модибдена вырезали транзисторные каналы, а сверху нанесли на него защитный слой оксида алюминия (Al2O3). Затем, наложили плоскость графена и обрезали ее кислородной плазмой, сформировав контактные электроды и соединительные проводящие дорожки.
Исследователи рассчитывают, что предложенный ими метод можно будет применять для комбинирования многих типов 2D-материалов и создания абсолютно новых — тонких, прозрачных и гибких — типов устройств: лазеров, туннельных диодов, транзисторов и т.п.
В дальнейшем они намерены усовершенствовать свою технологию, добавив возможность интеграции слоев изолирующих 2D-материалов, таких как нитрид бора.