Fujitsu усовершенствовала технологии ReRAM

Fujitsu Laboratories объявила о разработке новых технологий создания энергонезависимой памяти с произвольным доступом ReRAM. Результаты исследований были представлены на конференции IEDM, проходившей в Вашингтоне (США) с 10 по 12 декабря.

Инженеры Fujitsu Laboratories усовершенствовали структуру предыдущих версий ReRAM, добавив титан ( Ti) к оксиду никеля (NiO ). Таким образом, им удалось в 10 раз снизить флуктуации сопротивления, уменьшить до 100 мА силу тока, необходимого для сброса памяти, и сократить время, затрачиваемое на эту операцию, до 5 нс, что в 10 тыс раз меньше, чем у образцов ReRAM предыдущего поколения.

По мнению экспертов, миниатюризация флэш-памяти в ближайшем будущем достигнет своих пределов, в связи с чем следует ожидать принципиально новых элементов памяти. А принимая во внимание дешевизну производства ReRAM и высокую надежность ее работы в условиях высоких температур, можно рассматривать новую разработку как серьезную альтернативу флэш-памяти.