Компания Fujitsu Microelectronics (с 1 апреля Fujitsu Semiconductor) объявила о разработке нового макростандарта флэш-памяти, который позволит создавать чипы NOR Flash с повышенной скоростью чтения данных одновременно с более низкими рабочими токами.
Он гарантирует сохранение данных в течение 20 лет или 100 тыс. циклов чтения/записи, а также сокращение времени доступа к данным в 2,5 раза до 10 нс и уменьшение рабочего тока на 66% в пересчете на ячейку (до 9 мкА). Технология будет внедряться в микроконтроллеры со встроенной флэш-памятью, которые будут применяться в автомобильном и промышленном секторах и в потребительской электронике.
Отмечается, что ключевой особенностью разработки является использование проприетарной технологии FCRAM (fast-cycle random-access memory) в чипах NOR Flash – благодаря этому и достигается улучшение вышеупомянутых показателей и повышается надежность продуктов.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
