Fujitsu и Panasonic совершают прорыв в 45-нм технологиях производства микросхем

20 июнь, 2007 - 10:03

Компания Fujitsu разработала новый 45-нм техпроцесс для производства логических БИС, в котором реализованы новые технологии отжига и высокопроизводительные межкомпонентные соединения. По сравнению с известными 45нм процессами новая технологическая платформа позволяет на 80% снизить ток утечки и уменьшить до 14% индуцированное межкомпонентными соединениями время запаздывания (причем ширина межкомпонентных соединений и расстояние между ними составляет менее 65 нм). Внедрение данного техпроцесса позволит предложить логические БИС, отличающиеся высоким быстродействием, малыми размерами и пониженным энергопотреблением. Fujitsu планирует уже в 2008 г. начать промышленное производство БИС для мобильных устройств по новой 45-нм технологии. В свою очередь, компания Panasonic уже объявила о начале промышленного производства системных БИС (LSI) по 45-нм технологии. В 45-нм техпроцессе Panasonic используется иммерсионный сканер с лазером ArF, со значением числовой апертуры проекционной оптической системы больше 1, собственная технология обеспечения сверхвысокого разрешения, изоляторы с ультрамалой диэлектрической проницаемостью (ultralow-k), и несколько других разработок. Данный технологический процесс позволяет примерно вдвое (по сравнению с 65-нм технологиями) снизить требуемую площадь поверхности и энергопотребление.