Freescale разработала новый тип арсенидгаллиевого транзистора

Freescale Semiconductor создала первое MOSFET-устройство на основе арсенида галлия, готовое для коммерческого внедрения.

Компания ведет исследования в этой области уже на протяжении 10 лет, результатом которых стала высокоэффективная технология, пригодная для запуска в производство.

MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) изготовляются главным образом из кремния и, несмотря на то, что быстродействие кремниевых полупроводников значительно увеличилось в последние годы, реализация MOSFET на базе AsGa позволяет ускорить перенос электронов в 20 раз.

Freescale удалось свести к минимуму ток утечки -- одно из самых серьезных препятствий, возникающих при разработке арсенидгаллиевых MOSFET, и теперь она ищет пути снижения высокой себестоимости таких устройств.

Компания рассчитывает, что первые продукты с применением AsGa MOSFET появятся через три-пять лет, причем это будут прежде всего заказные устройства для узкоспециализированных приложений.