`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Флэш-альянс Intel и Micron прекратит существование

+11
голос

Долгосрочное сотрудничество Intel и Micron в разработке и производстве флэш-памяти NAND подходит к концу. После выпуска третьего поколения 3D NAND в конце 2018 — начале 2019 г. каждая из компаний пойдёт своим путём.

Совместное предприятие IM Flash Technologies (IMFT) было основано Intel и Micron 12 лет назад, незадолго до того, как накопители SSD вышли на массовый рынок. Начав с выпуска 72-нанометровой планарной NAND, большую часть своей истории IMFT входило в четвёрку крупнейших производителей флэш-памяти NAND.

Функции IMFT ограничивались разработкой флэш-технологий и производством, Intel и Micron самостоятельно продавали память на открытом рынке и конструировали SSD, базирующиеся на совместных технологиях.

В 2012 г. Intel продала Micron свою долю акций некоторых заводов IMFT, после чего в совместном владении оставались только производственные линии в г. Лехай (штат Юта). С тех пор обе компании ввели в строй новые собственные мощности, но исследования и разработка велись совместно на базе предприятия в г. Лехай, пока Intel не отказалась инвестировать в последнее поколение планарной NAND с детализацией 16 нм, ограничившись участием в создании первого поколения 3D NAND.

Причиной готовящегося разрыва могут быть разные приоритеты. Intel почти эксклюзивно использует NAND в своих SSD, а Micron является крупнейшим поставщиком как SSD, так и самих чипов NAND. Главный ориентир Intel это корпоративный рынок, тогда как Micron демонстрирует растущий интерес к мобильному сектору, требующему более малогабаритных чипов и диктующему другой подход к проектированию будущих поколений памяти.

В настоящее время партнёры внедряют второе поколение 64-слойной 3D NAND и завершают разработку третьего, по всей видимости, 96-слойного. Переход к числу слоёв более 100 может потребовать других производственных методов. Предполагается, что между компаниями могли возникнуть расхождения в вопросе перехода в ячейках 3D-памяти с архитектуры плавающего затвора на зарядовые ловушки, используемые Samsung и другими конкурентами.

Приближающийся разрыв не повлияет на технологию 3D Xpoint, пока дебютировавшую только в линейке продуктов Intel Optane. Micron подтвердила, что совместная разработка 3D XPoint будет продолжаться, однако не сообщила ничего нового о планах выхода соответствующих продуктов под её брендом QuantX.

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT