Everspin покажет самый быстрый SSD

Everspin Technologies укрепила свои позиции ведущего провайдера MRAM, объявив о начале поставок заказчикам первого в мире продукта, использующего технологию перпендикулярного магнитного туннельного перехода (perpendicular Magnetic Tunnel Junction, pMTJ).

На мероприятии Flash Memory Summit, которое пройдёт на следующей неделе в Санта Клара (штат Калифорния), компания продемонстрирует самый быстрый в мире SSD на базе новой памяти.

По скорости считывания и записи NVRAM значительно превосходит флэш-память и примерно соответствует DRAM. Это значит, что её можно размещать вплотную к процессору, подключая через шину памяти или PCIe. Кроме того, она может работать на много порядков дольше, чем быстро изнашивающиеся флэш-диски.

По этим причинам устройства NVRAM не позиционируются Everspin и её конкурентами (Intel, Nantero, Crossbar и др.) как прямые конкуренты флэш-памяти. Они предоставляют системным архитекторам другие возможности, включая интеграцию в процессоры, в массивы программируемой логики FPGA, в материнские платы и ускорители систем хранения данных.

Новый продукт Everspin реализован в формате одной карты PCIe. Согласно официальной информации, он поддерживает скорость записи в 100 тыс. раз выше, чем NAND-флэш.

Everspin выпускает энергонезависимые магнитные чипы NVRAM на протяжении уже восьми лет. Её новый чип DDR3 производится с уровнем детализации 40 нм и имеет емкость 32 МБ (256 Мб), что делает его самым высокоплотным коммерчески доступным устройством перпендикулярной ST (Spin Torque) MRAM на рынке. В ближайшем будущем, с переходом на 28-нанометровый процесс, компания рассчитывает выпустить DDR4 ST-MRAM ёмкостью 1 Гб.