Epson разработала быстродействующую и экономичную память FeRAM

Seiko Epson представила новое поколение полупроводниковой памяти - ferroelectric random access memory (FeRAM) -- поддерживающее в десять раз больше циклов перезаписи, чем обычные продукты.

Помимо этого, FeRAM превосходит по быстродействию EEPROM более, чем в 100 тыс. раз потребляя в 15 тыс. раз меньше энергии. Такие характеристики открывают возможность применения новых полупроводниковых продуктов не только в качестве энергонезависимой памяти для мобильных телефонов и смарткарт, но и как альтернативы оперативной памяти во встраиваемых приложениях.

Впервые продемонстрировать образцы FeRAM Epson планирует 15 ноября на промышленной выставке Embedded Technology 2006. Компания намерена уже в ближайшее время подготовить технологию для коммерческого применения.