Epson и Fujitsu завершили совместный проект по созданию нового поколения FRAM

Корпорация Seiko Epson и Fujitsu Limited сообщили об итогах осуществления их общего проекта по разработке следующего поколения ферроэлектрической памяти FRAM (Ferrorelectric Random Access Memory). По их заявлению, этот проект, инициированный в июне 2005 г. заключением соответствующего соглашения, успешно завершен и принес ожидавшиеся от него результаты.

Компании разработали технологию формирования, обработки и тестирования новой ферроэлектрической пленки (PZT) и создали основы процесса изготовления высокоинтегрированной FRAM, обеспечивающей четырехкратное увеличение плотности хранения информации, возросшую в три и более раз производительность чтения/записи и повышенную надежность (поддерживает более 100 трлн циклов чтения/записи). Такой процесс может быть совмещен с технологией производства КМОП-логики, что упростит налаживание массового выпуска FRAM.

Epson планирует использовать полученные наработки для ускорения выпуска больших интегральных схем с уменьшенным потреблением энергии для применения в портативных устройствах с автономным питанием. Fujitsu продолжит развитие технологий массового производства FRAM для приложений безопасности, а также
будет создавать новые рынки для встраиваемых микроконтроллеров FRAM.