Elpida освоила техпроцесс с допуском 25 нм для чипов DRAM 4 Гбит

4 октябрь, 2011 - 14:04

По заявлению Elpida Memory, компания стала первой в индустрии, освоившей 25-нанометровый техпроцесс для выпуска 4-гигабитных чипов DDR3 SDRAM. По данным производителя, эти микросхемы стали самыми компактными в своем классе.

Напомним, что в мае на этот процесс были переведены чипы емкостью 2 Гбит, и уже в июле начаты отгрузки их первых пробных образцов.

По сравнению с DDR3 DRAM предыдущего поколения с допуском 30 нм и той же емкости 4 Гбит, в новинках рабочий ток снижен на 25-30%, а в режиме standby он уменьшился на 30-50%. В компании считают, что ее решение найдет применение в ПК и серверах, а также в планшетах и ультратонких ноутбуках. Выпуск образцов и массовое производство этих микросхем ожидается до конца 2011 г.