| 0 |
|
Дослідники з Fraunhofer IAF домоглися значного прогресу в галузі напівпровідникових матеріалів, успішно виготовивши нітрид ітрію алюмінію (AlYN) методом металоорганічного хімічного осадження з парової фази (MOCVD). AlYN, відомий своїми видатними властивостями та сумісністю з нітридом галію (GaN), демонструє великий потенціал для створення енергоефективної високочастотної електроніки. Раніше AlYN можна було осаджувати тільки за допомогою магнетронного розпилення, але новий метод відкриває двері для різноманітних застосувань. Доктор Стефано Леоне (Stefano Leone) з Fraunhofer IAF наголошує на здатності AlYN підвищувати продуктивність і одночасно знижувати енергоспоживання, що робить його життєво важливим для електроніки майбутнього.
У 2023 році команда створила шар AlYN товщиною 600 нм з рекордною концентрацією ітрію 30%. Відтоді вони розробили гетероструктури AlYN/GaN з високою структурною якістю і багатообіцяючими електричними властивостями, особливо для високочастотних застосувань. Ці структури демонструють оптимальні властивості двовимірного електронного газу (2DEG) і дуже підходять для транзисторів з високою рухливістю електронів (HEMT).
«Наше дослідження являє собою важливу віху в розробці нових напівпровідникових структур. AlYN - це матеріал, який дає змогу підвищити продуктивність за мінімального споживання енергії, тож прокладає шлях до інновацій в електроніці, яких так потребує наше суспільство з цифровими технологіями і вимогами, що постійно зростають», - говорить доктор Стефано Леоне.
Ба більше, фероелектричні властивості AlYN роблять його ідеальним для застосування в енергонезалежній пам'яті, що в перспективі може призвести до революції в галузі енергоефективного зберігання даних, особливо в центрах обробки даних, заснованих на штучному інтелекті». Однак залишається одна серйозна проблема: сприйнятливість AlYN до окислення, яку дослідники мають намір зменшити за допомогою захисних стратегій та інноваційних технологій виробництва.
Про DCIM у забезпеченні успішної роботи ІТ-директора
| 0 |
|
