Японский чипмейкер совершенствует технологию флэш-памяти

29 август, 2007 - 11:59

Японская фирма Genusion сообщила о выпуске тестового образца новой  быстродействующей флэш-памяти. Устройство емкостью 4 Mb основано на технологии B4-Flash, использующей для программирования памяти процесс B4-HE (back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron), разработанный этой компанией.

 

По ее данным, механизм B4-HE имеет достаточный потенциал для обеспечения производительности программирования 100 Mbps, что в 10 и более раз превосходит возможности современных флэш-чипов.

 

Компания, базирующаяся в г. Амагасаки (преф. Хього), сообщает, что при изготовлении тестового чипа ескостью 4 Mb использовались стандартные технологии производства флэш-памяти, полномасштабный выпуск продукта она планирует начать в 2009 г.