Chartered и IBM расширили R&D-соглашение на следующее поколение КМОП-процессов

Chartered Semiconductor Manufacturing анонсировала распространение совместной с IBM программы разработки полупроводниковых технологий на следующее поколение КМОП-процессов -- с уровнем детализации 32 нм. Финансовая сторона соглашения не освещалась.

Кооперация двух компаний в сфере R&D началась подписанием многолетнего договора в ноябре 2002 г. и к настоящему времени охватила три последовательные поколения технологий изготовления чипов, с нормой 90, 60 и 45 нм.

Как и на предыдущих этапах основные работы в области 32-нанометрового процесса будут вестись в г. Ист Фишкилл (штат Нью Йорк) на полупроводниковом предприятии IBM, использующем 300-милиметровые заготовки. Каждая из компаний в дальнейшем сможет внедрить совместно созданные технологии на своих мощностях.