AMD получила лицензию на сверхплотную встраиваемую память Z-RAM

Разработчик технологии высокоемкой встраиваемой памяти Z-RAM (Zero Capacitor DRAM) фирма Innovative Silicon (ISi) предоставила AMD лицензию на использование своей IP в будущих микропроцессорных продуктах.

Комментируя эту информацию, Крейг Сандерс (Craig Sander), вице-президент AMD по развитию технологий, отметил, что применение Z-RAM позволит значительно увеличить объем интегрированной на чипе кэш-памяти, что приведет к росту быстродействия процессоров и снижению энергозатрат.

На встроенную память приходится до 70% площади сложных микросхем, поэтому уменьшение ее путем применения Z-RAM открывает путь к существенному удешевлению подобной продукции.

В отличие от наиболее широко использующейся Embedded SRAM в Z-RAM для формирования ячейки применяется один транзистор вместо шести. Кроме того, эффект Floating Body (FB), проявляющийся в SOI-устройствах (Silicon On Insulator), обеспечивает безконденсаторную запись состояния ячейки Z-RAM. Благодаря этому память от ISi в среднем в пять раз плотнее, чем Embedded SRAM и вдвое -- чем менее распространенная и малопроизводительная Embedded DRAM (с одним транзистором и одним конденсатором на каждую ячейку). В отличие от последней, для внедрения Z-RAM не требуется изменять стандартный технологический процесс.

Любая полупроводниковая память подвержена воздействию ионизирующей радиации от космического излучения и радиоизотопов, содержащихся в материале микросхем. В тестах, проведенных ISi, Z-RAM оказалась на порядок величины менее чувствительна к этому фактору возникновения ошибок, чем Embedded SRAM.

По данным ISi, к настоящему времени ею апробировано изготовление массивов Z-RAM с помощью 10 производственных процессов, включая SOI 130 нм, SOI 90 нм и FinFET, на мощностях ведущих чипмейкеров. До конца текущего квартала компания рассчитывает продемонстрировать рабочие образцы Z-RAM с уровнем детализации 65 нм.