3D-память Toshiba сделает флеш-накопители более емкими и дешевыми

Toshiba сообщила о планах по выпуску чипов NAND-памяти, имеющих трехмерную структуру. Это позволит значительно повысить плотность хранения данных, не переходя на более тонкий техпроцесс.

В разработке находится два типа 3D-памяти: «BiCS» NAND и ReRAM (резистивная память с произвольным доступом). Для первой компания уже разработала 50 нм техпроцесс с 16 слоями. Отмечается, что при плотности более 15 слоев, такой тип памяти становится дешевле, чем существующие микросхемы NAND.

Toshiba планирует выпустить опытные образцы емкостью 128 или 256 Гб в 2013 г., инженерные образцы в 2014 г. и начать массовое производство к 2015 г. К тому времени уже должны появиться 512 Гб чипы, а в дальнейшем — терабитной емкости и выше.

Что касается ReRAM, Toshiba показала 64 Гб тестовый чип. Компания планирует выпустить образцы и начать массовое производство этого типа памяти почти в те же сроки, что и BiCS. Так как ReRAM позволяет перезаписывать данные на более высоких скоростях, компания намерена использовать ее в устройствах ориентированных на высокую производительность.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365