`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

2D-материалы улучшат резистивную память

0 
 
2D-материалы улучшат резистивную память

Двумерные дихалькогениды переходных металлов (TMD) благодаря атомарной толщине и стук умному полиморфизму рассматриваются как перспективные материалы для создания различных электронных компонентов. В университете Пердью (штат Индиана) при участии Национального института стандартов и технологий (NIST) и компании Theiss Research создали прототип устройства резистивной памяти (RRAM), состоящий из многих слоёв оксида алюминия и TMD — дителлурида молибдена. Об этом сообщается в совместной публикации в журнале Nature Materials.

Благодаря открытому и запатентованному авторами механизму переключения материала из полупроводящего в металлическое состояние, эта память работает существенно быстрее известных RRAM, а также потребляет меньше энергии.

«Мы еще не исследовали системную усталость с помощью этого нового материала, но надеемся, что он быстрее и надежнее других подходов благодаря уникальному механизму переключения, который мы наблюдали», — заявил профессор Пердью, Йорг Аппенцеллер (Joerg Appenzeller).

Внешнее электрическое поле смещает атомы в двумерной решётке дителлурида молибдена на ничтожное расстояние, но это приводит к огромному скачку сопротивления. В лабораторных испытаниях прототипа, такое переключение, соответствующее изменению значения бита, происходило очень быстро, всего за 10 нс, коэффициент коммутации (соотношение тока во включенном и выключенном состояниях) составлял 106, а ток программирования не превышал 1 мА.

«Поскольку для изменения этих резистивных состояний требуется меньше энергии, заряда батареи сможет хватать надольше», — сказал Аппенцеллер.

Каждая такая ячейка памяти может находиться на пересечении проводов, образующих архитектуру перекрёстной (cross-point) RRAM, и соседствовать в компьютерном чипе с логическими элементами. В лаборатории Аппенцеллера уже работают над подобной интеграцией, которая позволит улучшить коммуникации между логикой и памятью и приведёт к дополнительной экономии места и энергии.

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT