`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Высокопроизводительный транзистор на основе C 60

+55
голосов

Японские ученые создали органические n-канальные тонкопленочные транзисторы из фуллерена и двуокиси титана-кремния на пластиковом субстрате. Хотя транзисторы все еще нестабильны на воздухе, они являются лучшими на сегодняшний день по таким характеристикам, как производительность и минимальное рабочее напряжение по сравнению с предыдущими устройствами. Если удастся добиться их стабилизации, то они могут быть использованы для создания гибких электронных приложений, включающих сложные органические логические цепи, такие как ячейки памяти и SRAM.

Большинство исследований в области органических тонкопленочных транзисторов фокусируются на p-канальных устройствах, так как n-канальные характеризуются низкой дрейфовой подвижностью носителей даже при высоком возбуждающем напряжении. Однако органические логические цепи, подобно комплементарным инверторам NOR и NAND, требуют транзисторов обоих типов. К тому же использующиеся на практике устройства для своего функционирования требую напряжения менее 15 В, тогда как большинство органических транзисторов, о которых сообщалось ранее, требовали напряжения более 20 В.

Джонго На (Jongho Na) из Токийского университета с коллегами преодолел эти проблемы, использовав изолятор с высокой диэлектрической постоянной – двуокись титана-кремния – чтобы снизить рабочее напряжение до 2—5 В. Полученный транзистор также обладает высокой производительностью с дрейфовой подвижностью 1 см2/В•с при этом напряжении, что, по крайней мере, в 10 раз больше по сравнению с другими n-канальными органическими транзисторами, работающими при низких напряжениях.

+55
голосов

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT