Высокопроизводительный транзистор на основе C 60

Японские ученые создали органические n-канальные тонкопленочные транзисторы из фуллерена и двуокиси титана-кремния на пластиковом субстрате. Хотя транзисторы все еще нестабильны на воздухе, они являются лучшими на сегодняшний день по таким характеристикам, как производительность и минимальное рабочее напряжение по сравнению с предыдущими устройствами. Если удастся добиться их стабилизации, то они могут быть использованы для создания гибких электронных приложений, включающих сложные органические логические цепи, такие как ячейки памяти и SRAM.

Большинство исследований в области органических тонкопленочных транзисторов фокусируются на p-канальных устройствах, так как n-канальные характеризуются низкой дрейфовой подвижностью носителей даже при высоком возбуждающем напряжении. Однако органические логические цепи, подобно комплементарным инверторам NOR и NAND, требуют транзисторов обоих типов. К тому же использующиеся на практике устройства для своего функционирования требую напряжения менее 15 В, тогда как большинство органических транзисторов, о которых сообщалось ранее, требовали напряжения более 20 В.

Джонго На (Jongho Na) из Токийского университета с коллегами преодолел эти проблемы, использовав изолятор с высокой диэлектрической постоянной – двуокись титана-кремния – чтобы снизить рабочее напряжение до 2—5 В. Полученный транзистор также обладает высокой производительностью с дрейфовой подвижностью 1 см²/В•с при этом напряжении, что, по крайней мере, в 10 раз больше по сравнению с другими n-канальными органическими транзисторами, работающими при низких напряжениях.