Високошвидкісна пам'ять нового покоління HBM4 очікується у 2025 році

За матеріалами, опублікованими у блозі Samsung Санг-Джун Хвангом, виконавчим віцепрезидентом та керівником підрозділу DRAM Product & Technology Team компанії Samsung Electronics, пам'ять високої пропускної спроможності чергового покоління (HBM4) з'явиться у 2025 році. Нагадаємо, що HBM вперше з'явилася у 2015 році в AMD Radeon R9 Fury X. Друге покоління HBM2 було вперше реалізовано у NVIDIA Tesla P100 у 2016 році, а третє покоління HBM3 було представлено у 2022 році у GPU NVIDIA Hopper GH100. Зараз Samsung розробила пам'ять HBM3E зі швидкістю передачі даних 9,8 Гбіт/с, яка незабаром почне постачатись замовникам у вигляді зразків.

Однак цього разу Samsung більш амбітна щодо термінів розробки, і компанія розраховує анонсувати HBM4 у 2025 році, причому комерційні продукти, можливо, з'являться в тому ж календарному році. Цікаво, що в пам'яті HBM4 будуть використовуватися технології, оптимізовані для забезпечення високих теплових властивостей, такі як складання на основі плівки, що не проводить, (NCF) і гібридна мідна сполука (HCB). NCF є полімерним шаром, що підвищує стабільність мікровиступів і TSV в мікросхемі, завдяки чому паяні пластини пам'яті захищені від ударів. Гібридна мідна сполука - це передовий метод упакування напівпровідників, який дозволяє створювати прямі з'єднання міді з міддю між напівпровідниковими компонентами, забезпечуючи високу щільність упакування, що нагадує 3D. Воно забезпечує високу щільність введення-виводу, розширену смугу пропускання та підвищену енергоефективність. Як провідник і оксидний ізолятор використовують шар міді, а не звичайні мікровиступи, що дозволяє збільшити щільність сполук, необхідну для створення HBM-подібних структур.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI