TSMC уже в этом году начнет производство FinFET

Тайваньский производитель микросхем компания TSMC планирует до конца 2013 г. начать производство изделий FinFET по 16-нм технологическим нормам. Решение о форсированном внедрении новых технологий, по информации ресурса EE Times, который, в свою очередь, ссылается на главу TSMC Морриса Чана (Morris Chang), связано с обострением конкуренции со стороны Samsung и Globalfoundries.

Как отмечают в TSMC, закон Мура, в соответствии с которым развивается полупроводниковая индустрия, будет действовать еще 7-8 лет, и за это время возможно освоение 10-нм и даже 7-нм технологий производства. Компания намерена внедрить фотолитографию с использованием жесткого ультрафиолетового излучения (EUV) при освоении 10-нм технологических норм, в 2015 г. Одновременно TSMC ведет исследования в области электронно-лучевой литографии (которую считают одной из возможных альтернатив EUV), а также сфере объемной комплектации чипов.

В настоящее вермя TSMC расширяет производство и наращивает выпуск продукции по 28-нм нормам. В 2013 г. капитальные издержки TSMC превысят $9 млрд (в 2009 г. они составляли около $2 млрд), за год будет введено три очереди производства. Уже сейчас компания выпускает около 1,3 млн пластин в месяц, что значительно больше показателей основного конкурента, Samsung (0,9 млн), а к 2017 г. TSMC планирует выпускать ежемесячно до 13,5 млн пластин.