Toshiba анонсировала прототип FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) демонстрирующий рекордные характеристики для энергонезавиимой памяти. Новый чип имеет емкость 128 Мб и максимальную скорость чтения-записи 1,6 Гб/с.
В этом устройстве используется усовершенствованная архитектура Toshibal chainFeRAM, предотвращающая ухудшение сигнала ячейки и обеспечивающая улучшенные возможности масштабирования. Более того, новое решение предсказывает и контролирует флуктуации питания, что содействует стабильности высокоскоростной пересылки данных, а подержка интерфейса DDR2 открывает путь к практическому его применению.
FeRAM сочетает быстродействие уровня DRAM со способностью флэш-памяти сохранять информацию в обесточенном виде. Toshiba продолжает активную работу над совершенствованием ферроэлектрической памяти с целью снедрения ее в широкий ассортимент устройств, таких как мобильные телефоны, ноутбуки и SSD.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
+44 голоса |