`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Технология памяти NRAM: старая идея на новый лад

0 
 
Одной из фирм, стремящихся составить конкуренцию полупроводниковым гигантам на ниве разработки новых типов памяти, является основанная всего лишь в октябре 2001 г. Nantero. Предложенную ею концепцию энергонезависимого ОЗУ, или NRAM (Nonvolatile Random Access Memory), просто нельзя обойти вниманием хотя бы из-за ее оригинальности, а впрочем... Кто знает, применимо ли это слово в данном случае.

Дело в том, что разработчики Nantero в какой-то мере позаимствовали идею у электромеханических запоминающих устройств, применявшихся в компьютерном оборудовании полвека назад и вытесненных появившимися в конце 60-х годов дешевыми полупроводниковыми компонентами, но только решили реализовать ее на наноуровне.

"Последнее ОЗУ с движущимися частями было создано более 50 лет назад, поэтому наша идея на первый взгляд может показаться радикальной и неосуществимой", -- заявляет глава Nantero Грег Шмергель (Greg Schmergel).

С другой стороны, подобный подход в наше время уже отнюдь не в диковинку -- вспомнить хотя бы IBM с ее проектом Millipede -- микроскопическими "перфокартами" ("Компьютерное Обозрение", # 25, 2002).

Итак, что же представляет собой NRAM? Основным компонентом этой технологии является углеродная нанотрубка с толщиной стенок в один атомный слой и диаметром порядка 20 нм. Само запоминающее устройство состоит из двух кремниевых подложек, на которых особым образом размещено по массиву нанотрубок -- так, чтобы две "сопряженные" нанотрубки из противоположных массивов располагались перпендикулярно, крест-накрест.

В исходном состоянии, соответствующем логическому нулю, нанотрубки друг с другом не соприкасаются, и расстояние между ними составляет несколько нанометров. Однако если приложить к ним разность потенциалов, они начнут выгибаться, в конечном итоге, соприкоснутся и будут так удерживаться силами межатомного взаимодействия до тех пор, пока не применить противоположное напряжение. В "сомкнутом" и "разомкнутом" состояниях система из пары нанотрубок имеет различное электрическое сопротивление, за счет чего и происходит считывание информации. Причем, по словам специалистов Nantero, с целью достижения избыточности и предотвращения утери данных в одном бите участвует значительное количество таких пар.

Компания утверждает, что плотность записи информации в устройствах NRAM может достигать 5 млрд. бит на квадратный сантиметр (в несколько раз больше, чем в нынешних высокоемких микросхемах памяти), а частота обмена данными -- до 2 GHz, причем подобные оценки основываются на рабочих параметрах существующих прототипов. При этом дополнительным достоинством NRAM является энергетическая независимость -- информация сохраняется даже после отключения питания.

Как отмечают специалисты, одна из главных проблем в реализации описанного подхода -- точное размещение нанотрубок на кремниевых подложках, поскольку, к примеру, техника их наращивания из-за большого размера массива в данном случае не подходит. Недавно Nantero сообщила о том, что ей удалось найти решение.

Запатентованный компанией метод заключается в следующем. Сначала очень тонкий слой нанотрубок наносится на поверхность подложки. Затем те из них, которые находятся на "неправильных" для формирования необходимого массива позициях, просто удаляются с использованием литографии и вытравливания.

К настоящему времени разработчикам Nantero удалось создать массив, позволяющий хранить до 10 Gb информации. При этом они говорят, что их методика может применяться и для получения массивов большего размера, поскольку определяющим фактором здесь являются возможности литографического оборудования. Кроме того, особо подчеркивается, что она в значительной мере совместима с нынешними технологиями полупроводникового производства и с небольшими затратами может быть внедрена на существующих заводах.

Таким образом, сам собой возникает последний вопрос: когда? Согласно заявлению Шмергеля, соответствующие переговоры с компаниями, занимающимися выпуском полупроводниковых устройств, уже ведутся, а появления первых продуктов на основе NRAM можно ожидать через два года.
0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT