>Оперативная память

На выставке SC17, Micron Technology анонсировала модули памяти NVDIMM-N с ёмкостью, увеличенной до 32 ГБ — вдвое больше, чем у доступных сейчас NVDIMM.

Nanya Technology приступила к массовым поставкам чипов DDR3 емкостью 4 Гб с помощью техпроцесса 20 нм и в четвертом квартале 2017 г. планирует начать массовое производство 20 нм чипов DDR4 емкостью 8 Гб.

Организация JEDEC объявила о начале работ над спецификацией DRAM очередного поколения.

Компания Intel анонсировала цены на память Intel Optane, которая была представлена в марте.

Для тех, кто следит за новинками IT-индустрии, это не стало неожиданностью, ведь появление энергонезависимой памяти Intel Optane стирает грань между постоянными и оперативными запоминающими устройствами (частично, конечно). Попробуем разобраться, насколько уместна аналогия между S.M.A.R.T. жестких дисков и аналогичной функциональностью модулей энергонезависимой памяти

Fujitsu Semiconductor Ltd. (Йокогама, Япония) утверждает, что располагает технологией массового производства устройств резистивный памяти с произвольным доступом (ReRAM) с самой большой в мире плотностью – устройство 4 Мб разработано совместно с Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.