| 0 |
|
Вместе со своими партнерами по программе совместной разработки - компаниями AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и колледжем CNSE (College of Nanoscale Science and Engineering) с наиболее совершенным университетским R&D-комплексом в области наноэлектроники в мире - IBM анонсировала первую функционирующую статическую память (SRAM) с уровнем детализации 22 нм. Изготовленное на заводе в Олбани (штат Нью-Йорк) из 300-миллиметровых пластин, оно представляет второе поколение полупроводниковых технологий по отношению к используемым сейчас и 32-нанометровым, планируемым к внедрению.
Чипы памяти традиционно рассматриваются как промежуточный этап на пути применения новых производственных процессов к более сложным устройствам, наподобие микропроцессоров.
Площадь одной ячейки новой SRAM, имеющей обычную шеститранзисторную конструкцию, составляет 0,1 мкм2. Помимо уменьшения масштаба, инженеры проекта выполнили большую работу по оптимизации структуры схем для улучшения устойчивости функционирования SRAM и воплотили в ней ряд технологических инноваций, включая транзисторы с длиной затвора менее 25 нм, усовершенствованные методы активации, сверхтонкий силицид и орнаментированные (damascene) медные контакты. Подробнее об этом будет рассказано на ежегодной конференции IEDM в Сан-Франциско в декабре 2008 г.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
