Sony и Micron показали рабочий образец резистивной памяти объемом 16 Гб

Sony и Micron совместно на конференции IEDM 2014 показали рабочий образец микросхемы резистивной памяти (RRAM) емкостью 16 Гб, выполненной по 27 нм техпроцессу.

Разработчикам удалось добиться ожидаемых теоретически характеристик памяти этого типа — скорость чтения составила 900 МБ/с с задержками на уровне 2,3 нс, записи — 180 МБ/с при задержках 11,7 нс. Подобные скорости приближают характеристики энергонезависимой RRAM к показателям оперативной памяти. Исследуемая микросхема была создана с интерфейсом DDR DRAM, так что она может использоваться в виде оперативной памяти в устройствах. Компьютеры с такой памятью будут очень быстро включаться и выключаться без потери данных.

Ячейка резистивной памяти имеет размеры 6F. Это достаточно большая площадь, так как современных ячейки оперативной памяти уже практически полностью перешли с размера 6F на 4F. На практике это будет означать более высокую стоимость кристаллов RRAM по сравнению с DRAM. Еще больше цену должна увеличить новизна технологии и небольшие объемы выпуска на первом этапе.

Говоря о производстве, представленный образец уже готов стать основой серийно выпускаемой продукции и позволит создавать модули памяти объемом 2 ГБ. Компании обещают начать выпуск памяти RRAM как минимум в виде тестовых образцов уже в следующем году.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365