SK hynix розробила MCR DIMM - найшвидший у світі модуль серверної пам'яті

Компанія SK hynix оголосила, що розробила робочі зразки модулів пам'яті DDR5 Multiplexer Combined Ranks (MCR) Dual In-line Memory Module, найшвидшого у світі продукту серверної DRAM по її ствердженню.

Як каже виробник, новинка працює на швидкості передачі даних не менше 8 Гбіт/с, що як мінімум на 80% швидше, ніж 4,8 Гбіт/с в наявних продуктів DDR5.

Інженери SK Hynix при розробці новітнього продукту прагнули знайти спосіб підвищити швидкість роботи модулів, а не тільки чипів. Модулі розроблені таким чином, щоб забезпечити одночасну роботу двох рангів, використовуючи буфер даних, встановлений на модулі MCR DIMM на основі технології Intel MCR.

Забезпечуючи одночасну роботу двох рангів памʼяті, MCR DIMM дозволяє передавати процесору 128 байтів даних за один раз, в порівнянні з 64 байт, які зазвичай отримуються у звичайному модулі DRAM. Збільшення обсягу даних, що надсилаються до центрального процесора, щоразу підтримує швидкість передачі даних не менше 8 Гбіт/с, що вдвічі швидше, ніж при використанні одного модуля DRAM.

Тісна співпраця з бізнес-партнерами Intel та Renesas стала ключем до успіху. Три компанії працювали разом і співпрацювали протягом усього процесу від проєктування продукту до його перевірки.

Керівник відділу планування продуктів DRAM компанії SK hynix Сунгсу Рю (Sungsoo Ryu) зазначив, що досягнення стало можливим завдяки конвергенції різних технологій. «Можливості SK hynix у розробці модулів DRAM були об'єднані з досконалістю процесорів Intel Xeon і буферною технологією Renesas, - наголосив Рю. - Для стабільної роботи модулів MCR DIMM необхідна безперебійна взаємодія між буфером даних і процесором всередині й зовні модуля».

Буфер даних передає декілька сигналів, що надходять з модуля в середину, а процесор сервера приймає та обробляє сигнали, що надходять через буфер.

«SK hynix забезпечила чергову технологічну еволюцію для DDR5, розробивши найшвидшу у світі модульну пам'ять MCR DIMM, - підкреслив Рю. - Наші зусилля з пошуку технологічних проривів будуть продовжуватися, оскільки ми прагнемо зміцнити наше лідерство на ринку серверної DRAM».

Д-р Дімітріос Зіакас (Dimitrios Ziakas), віцепрезидент з технологій пам'яті та вводу-виводу в Intel, сказав, що Intel і SK hynix разом з іншими ключовими партнерами в галузі лідирують в напрямку інновацій пам'яті та розробки високопродуктивної, масштабованої DDR5 для серверів. «Представлена технологія є результатом багаторічних спільних досліджень Intel і ключових партнерів в галузі, спрямованих на значне збільшення пропускної здатності процесорів Intel Xeon, - заявив він. - Ми з нетерпінням чекаємо на впровадження цієї технології в майбутні процесори Intel Xeon, а також на підтримку стандартизації та зусиль по розробці нових поколінь в галузі».

Віцепрезидент і генеральний директор підрозділу інтерфейсів пам'яті Renesas Самір Куппахаллі (Sameer Kuppahalli) сказав, що розробка буфера даних Renesas є кульмінацією трьох років інтенсивних зусиль, що охоплюють період від концепції до виробництва.

SK hynix очікує, що ринок модулів пам'яті MCR DIMM буде розширюватися шляхом високопродуктивних обчислень, які будуть використовувати переваги збільшеної пропускної здатності пам'яті. В майбутньому SK hynix планує запустити продукт в масове виробництво.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI