| 0 |
|
За повідомленням порталу ZD Net Korea, SK Hynix планує публічно продемонструвати 16-шаровий продукт HBM3E об'ємом 48 ГБ на Міжнародній конференції з твердотілих схем 2024 року (ISSCC 2024), який може забезпечити швидкість одного стека до 1280 ГБ/с.
Нагадаємо, раніше у 2023 році SK Hynix надала замовникам зразки 12-шарової HBM3E, а масове виробництво цього рішення заплановано на першу половину 2024 року. Наразі тривають дослідження і розробки 16-шарової HBM4, масове виробництво якої заплановано на 2026 рік. Однак SK Hynix має намір зберегти своє лідерство на ринку в цей період завдяки впровадженню 16-шарової технології HBM3E.
Порівняно з 12 шарами, 16-шарова HBM вимагає укладання більшої кількості матриць DRAM на одній і тій самій висоті, що робить вкрай важливим зменшення товщини DRAM і запобігання деформації пластин.
Для подолання цих технічних проблем SK Hynix використовує технологію MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill), починаючи з продуктів HBM2e, а в 12-шаровій HBM3, випущеної 2023 року, застосовують вдосконалену технологію MR-MUF, що ефективно покращує відведення тепла.
SK Hynix заявила, що в нещодавно представленій 16-шаровій HBM3E оптимізовано штабелювання завдяки використанню наскрізних кремнієвих каналів (TSV), які підвищують ефективність енергоспоживання. Однак у майбутніх 16-шарових HBM4 буде використана технологія Hybrid Bonding.
За даними дослідницької компанії Omdia, завдяки наростальному попиту на штучний інтелект ринок HBM у найближчі п'ять років зростатиме щонайменше на 40% на рік. У 2024 році SK Hynix планує продовжити нарощувати інвестиції в HBM. У звіті про прибутки за четвертий квартал 2023 року SK Hynix згадала, що у відповідь на зростання попиту на AI у 2024 році буде розширено виробництво продуктів за передовими технологіями, а потужність TSV буде подвоєно порівняно з 2023 роком.
Зазначається, що Samsung Electronics, яка відстає від SK Hynix у бізнесі HBM, прискорює свої зусилля. Її рішення HBM3E також має надійти в масове виробництво в першій половині 2024 року, тоді як у 2025 році планують розпочати пробне виробництво HBM4, а у 2026 році - масове.
Кюн К'є-хьон (Kyung Kye-hyun), голова підрозділу Samsung Semiconductor and Device Solutions (DS), нещодавно заявив у соціальних мережах, що напівпровідникові продукти Samsung, як-от HBM3E "Shine Bolt", значно підвищать швидкість і ефективність застосунків Generative AI. Інженери Samsung займаються розробкою висококласних рішень у сфері AI, необхідних у майбутньому, починаючи від смартгодинників і мобільних пристроїв і закінчуючи приграничними пристроями та хмарними обчисленнями.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
